RFP12N10L
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,100 |
| 10+ | € 0,609 |
| 100+ | € 0,587 |
| 500+ | € 0,570 |
| 1000+ | € 0,504 |
| 5000+ | € 0,494 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
RFP12N10L è un MOSFET di potenza ad arricchimento di livello logico a canale N da 100V. È pensato per il pilotaggio da IC logici con tensione di uscita di 5V in applicazioni come controllori programmabili, solenoidi e commutazione automotive. Queste prestazioni sono ottenute attraverso uno speciale strato dielettrico (ossido di gate) che fornisce la massima conduzione nominale con bias di gate nel range di 3-5V, facilitando così il controllo diretto della potenza di on-off dalle tensioni di alimentazione dei circuiti logici. Questo prodotto è destinato ad usi generali ed è adatto a molte applicazioni diverse.
- Compatibile con i requisiti di drive automotive
- Abilità di pilotaggio diretto dai circuiti QMOS, NMOS e TTL
- Elevata impedenza in ingresso
- Velocità di commutazione al nanosecondo
- Caratteristiche di trasferimento lineare
Specifiche tecniche
canale N
12A
TO-220AB
5V
60W
150°C
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Lead (27-Jun-2024)
100V
0.2ohm
foro passante (THT)
2V
3Pin
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Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto