Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNXH80T120L3Q0S3G
Codice Prodotto3929816
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
1 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
1+ | € 56,580 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 56,58 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNXH80T120L3Q0S3G
Codice Prodotto3929816
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTdoppio (mezzo ponte)
Corrente di Collettore continua75A
Corrente di Collettore CC75A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)1.7V
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.7V
Dissipazione di Potenza Pd188W
Dissipazione di potenza188W
Temperatura di Giunzione Tj Max175°C
Temperatura di esercizio max175°C
Stile di Case del Transistormodulo
Terminazione IGBTpin a saldare
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo1.2kV
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Tecnologia Transistore IGBTIGBT [Trench/Field Stop]
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
doppio (mezzo ponte)
Corrente di Collettore CC
75A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.7V
Dissipazione di potenza
188W
Temperatura di esercizio max
175°C
Terminazione IGBT
pin a saldare
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corrente di Collettore continua
75A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
1.7V
Dissipazione di Potenza Pd
188W
Temperatura di Giunzione Tj Max
175°C
Stile di Case del Transistor
modulo
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
1.2kV
Tecnologia Transistore IGBT
IGBT [Trench/Field Stop]
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.09
Tracciabilità del prodotto