Stampa pagina
NXH400N100H4Q2F2SG
Modulo IGBT, Four Pack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, modulo
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNXH400N100H4Q2F2SG
Codice Prodotto3929809
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
36 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 170,500 |
| 5+ | € 167,090 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 170,50 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNXH400N100H4Q2F2SG
Codice Prodotto3929809
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTFour Pack
Corrente di Collettore CC409A
Corrente di Collettore continua409A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)1.77V
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.77V
Dissipazione di Potenza Pd959W
Dissipazione di potenza959W
Temperatura di esercizio max175°C
Temperatura di Giunzione Tj Max175°C
Stile di Case del Transistormodulo
Terminazione IGBTa saldare
Massima tensione Collettore-Emettitore1kV
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo1kV
Tecnologia Transistore IGBTIGBT [Trench/Field Stop]
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
Four Pack
Corrente di Collettore continua
409A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.77V
Dissipazione di potenza
959W
Temperatura di Giunzione Tj Max
175°C
Terminazione IGBT
a saldare
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
1kV
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corrente di Collettore CC
409A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
1.77V
Dissipazione di Potenza Pd
959W
Temperatura di esercizio max
175°C
Stile di Case del Transistor
modulo
Massima tensione Collettore-Emettitore
1kV
Tecnologia Transistore IGBT
IGBT [Trench/Field Stop]
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.09
Tracciabilità del prodotto