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NXH100B120H3Q0PG
Modulo IGBT, doppio, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, modulo
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ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNXH100B120H3Q0PG
Codice Prodotto3929800
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNXH100B120H3Q0PG
Codice Prodotto3929800
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTdoppio
Corrente di Collettore CC61A
Corrente di Collettore continua61A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.77V
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)1.77V
Dissipazione di Potenza Pd186W
Dissipazione di potenza186W
Temperatura di Giunzione Tj Max150°C
Temperatura di esercizio max150°C
Stile di Case del Transistormodulo
Terminazione IGBTmontaggio a pressione
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo1.2kV
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Tecnologia Transistore IGBTIGBT [Trench/Field Stop]
Montaggio Transistorea pannello
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
doppio
Corrente di Collettore continua
61A
Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(on)
1.77V
Dissipazione di potenza
186W
Temperatura di esercizio max
150°C
Terminazione IGBT
montaggio a pressione
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Montaggio Transistore
a pannello
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corrente di Collettore CC
61A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.77V
Dissipazione di Potenza Pd
186W
Temperatura di Giunzione Tj Max
150°C
Stile di Case del Transistor
modulo
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
1.2kV
Tecnologia Transistore IGBT
IGBT [Trench/Field Stop]
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.09