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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVMFS6H801NT1G
Codice Prodotto3388929
Datasheet tecnico
Tipo di canaleN Channel
Tensione Drain Source Vds80V
Corrente Continua di Drain Id157A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0028ohm
Stile di Case del TransistorDFN
Montaggio TransistoreSurface Mount
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza166W
Numero di pin5Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Specifiche tecniche
Tipo di canale
N Channel
Corrente Continua di Drain Id
157A
Stile di Case del Transistor
DFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
166W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
80V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0028ohm
Montaggio Transistore
Surface Mount
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
5Pin
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000156
Tracciabilità del prodotto