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Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVMFS014P04M8LT1G
Codice Prodotto4257646RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id52.1A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.01ohm
Stile di Case del TransistorDFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.4V
Dissipazione di potenza60W
Numero di pin5Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
52.1A
Stile di Case del Transistor
DFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
60W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.01ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.4V
Numero di pin
5Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000833
Tracciabilità del prodotto