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NVHL040N120SC1
MOSFET al carburo di silicio, EliteSiC, configurazione singola, canale N, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm
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ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVHL040N120SC1
Codice Prodotto3464026
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVHL040N120SC1
Codice Prodotto3464026
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id60A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.056ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin3Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.3V
Dissipazione di potenza348W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
- Silicon carbide (SiC) MOSFET
- 100% UIL tested, AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source on resistance is 39mohm (typ, VGS = 20V, ID = 35A, TJ = 25°C
- Reverse transfer capacitance is 12pF (typ, VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain current RJC is 60A (maximum, TC = 25°C, steady state)
- Gate to source leakage current is ±1µA (max, VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Power dissipation is 348W (VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Rise time is 41ns (typ, VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 47A, RG = 4.7ohm, inductive load)
- Reverse recovery time is 24ns (typ, VGS = -5/20V, ISD = 47A, dIS/dt = 1000A/ s)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +175°C, TO247-3L package
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
60A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.056ohm
Numero di pin
3Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.3V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
348W
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto