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NVHL023N065M3S
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 70 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVHL023N065M3S
Codice Prodotto4583078
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
395 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVHL023N065M3S
Codice Prodotto4583078
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id70A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.033ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin3Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza263W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NVHL023N065M3S is an EliteSiC 650V M3S MOSFET in a 3 pin TO-247 package. It uses a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include automotive on board charger and automotive DC−DC converter for EV/HEV.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 70A
- Typical RDS(on) = 23mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 153pF)
- 100% avalanche tested
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
70A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.033ohm
Numero di pin
3Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
263W
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto