Stampa pagina
NVH4L032N065M3S
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 50 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVH4L032N065M3S
Codice Prodotto4583077
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
354 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 14,070 |
| 5+ | € 12,290 |
| 10+ | € 10,500 |
| 50+ | € 10,030 |
| 100+ | € 9,550 |
| 250+ | € 9,080 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 14,07 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVH4L032N065M3S
Codice Prodotto4583077
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id50A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.044ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin4Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza187W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NVH4L032N065M3S is an EliteSiC 650V M3S MOSFET that uses a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include automotive on board charger and automotive DC−DC converter for EV/HEV.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 50A
- Typical RDS(ON) = 32mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 114pF)
- 100% avalanche tested
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
50A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.044ohm
Numero di pin
4Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
187W
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto