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NVH4L025N065SC1.
MOSFET Module Configuration:-
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVH4L025N065SC1.
Codice Prodotto4070490
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFET-
Tipo di canaleN Channel
Corrente Continua di Drain Id99A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0285ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin4Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.3V
Dissipazione di potenza348W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
-
Corrente Continua di Drain Id
99A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0285ohm
Numero di pin
4Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.3V
Temperatura di esercizio max
175°C
Tipo di canale
N Channel
Tensione Drain Source Vds
650V
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
348W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Alternative per NVH4L025N065SC1.
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.008256
Tracciabilità del prodotto