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NVF3055L108T1G
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVF3055L108T1G
Codice Prodotto4319754
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id3A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.12ohm
Stile di Case del TransistorSOT-223
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)5V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.68V
Dissipazione di potenza2.1W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
3A
Stile di Case del Transistor
SOT-223
Tensione di test di Rds(on)
5V
Dissipazione di potenza
2.1W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.12ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.68V
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per NVF3055L108T1G
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000218
Tracciabilità del prodotto