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NVBG025N065SC1.
MOSFET, 650V, 395W, 106A, D2PAK-7L
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVBG025N065SC1.
Codice Prodotto4070489
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETSingle
Tipo di canaleN Channel
Corrente Continua di Drain Id106A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0285ohm
Stile di Case del TransistorD2PAK-7L
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.3V
Dissipazione di potenza395W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
Single
Corrente Continua di Drain Id
106A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0285ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.3V
Temperatura di esercizio max
175°C
Tipo di canale
N Channel
Tensione Drain Source Vds
650V
Stile di Case del Transistor
D2PAK-7L
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
395W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Alternative per NVBG025N065SC1.
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001899
Tracciabilità del prodotto