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NTNUS3171PZT5G
MOSFET di potenza, canale P, 20 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-1123, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTNUS3171PZT5G
Codice Prodotto4319772
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id150mA
Resistenza Drain-Source in conduzione3.5ohm
Stile di Case del TransistorSOT-1123
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima700mV
Dissipazione di potenza125mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
150mA
Stile di Case del Transistor
SOT-1123
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
125mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
3.5ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
700mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto