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NTMFS5C670NLT1G
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 71 A, 0.0061 ohm, DFN, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTMFS5C670NLT1G
Codice Prodotto4319715
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id71A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0061ohm
Stile di Case del TransistorDFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza61W
Numero di pin5Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NTMFS5C670NLT1G is a single N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- Continuous drain current is 71A
- Power dissipation is 61W at (TC = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Threshold temperature coefficient is -4.7mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Input capacitance is 1400pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Turn-on delay time is 11ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 30V, ID = 35A, RG = 2.5 ohm)
- Rise time is 60ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 30V, ID = 35A, RG = 2.5 ohm)
- Zero gate voltage drain current is 10µA maximum at (TJ = 25°C)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN5 package
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
71A
Stile di Case del Transistor
DFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
61W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0061ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
5Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto