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NTMFS5C410NLT1G
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 330 A, 650 µohm, DFN, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1500+ | € 1,020 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTMFS5C410NLT1G
Codice Prodotto3616453
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id330A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.00065ohm
Stile di Case del TransistorDFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza139W
Numero di pin5Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NTMFS5C410NLT1G is a single, N-channel power MOSFET.
- Small footprint (5x6mm) for compact design
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V min (VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Gate-to-source voltage is ±20V (TJ = 25°C)
- Continuous drain current RJC is 330A (TC = 25°C, steady state)
- Power dissipation is 139W (TC = 25°C, steady state)
- Source current (body diode) is 162A, single pulse drain-source avalanche energy is 706mJ (TC=25°C)
- DFN5 package
- Operating junction range from -55 to +175°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
330A
Stile di Case del Transistor
DFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
139W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.00065ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
5Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.1
Tracciabilità del prodotto