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NTD5865NLT4G
MOSFET di potenza, canale N, 60V, 46A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTD5865NLT4G
Codice Prodotto1879962RL
Gamma ProdottiCompute Module 3+ Series
Datasheet tecnico
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTD5865NLT4G
Codice Prodotto1879962RL
Gamma ProdottiCompute Module 3+ Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id46A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.016ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1V
Dissipazione di potenza52W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCompute Module 3+ Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (17-Jan-2022)
Panoramica del prodotto
NTD5865NLT4G è un MOSFET di potenza a canale N caratterizzato da bassa carica di gate, alta capacità di corrente e commutazione rapida.
- Testato in modalità a valanga al 100%
- Tensione da gate a source: ±20V
- Resistenza termica da giunzione a case (drain): 2,1°C/W
- Resistenza termica da giunzione ad ambiente 49°C/W
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
46A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
52W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (17-Jan-2022)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.016ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
Compute Module 3+ Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (3)
Prodotti associati
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (17-Jan-2022)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000378
Tracciabilità del prodotto