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NTBL075N065SC1
MOSFET al carburo di silicio, EliteSiC, configurazione singola, canale N, 37 A, 650 V, 0.085 ohm
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ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTBL075N065SC1
Codice Prodotto4472905RL
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
1 980 A Stock
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTBL075N065SC1
Codice Prodotto4472905RL
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Corrente Continua di Drain Id37A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.085ohm
Numero di pin8Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.3V
Dissipazione di potenza139W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Specifiche tecniche
Corrente Continua di Drain Id
37A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.085ohm
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
139W
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Tensione Drain Source Vds
650V
Numero di pin
8Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.3V
Temperatura di esercizio max
175°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto