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NTBG070N120M3S
MOSFET al carburo di silicio, canale N, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, D2PAK-7L
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ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTBG070N120M3S
Codice Prodotto4244650RL
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
1 262 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTBG070N120M3S
Codice Prodotto4244650RL
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFET-
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id37A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.091ohm
Stile di Case del TransistorD2PAK-7L
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.4V
Dissipazione di potenza252W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
-
Corrente Continua di Drain Id
37A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.091ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.4V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
D2PAK-7L
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
252W
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto