Stampa pagina
NTBG040N120SC1
SIC MOSFET, N-CH, 20V, 60A, TO-263HV
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTBG040N120SC1
Codice Prodotto4130209
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 22 settimana/e
Costo consegna: € 18,00 una volta per ordine. Consegna entro 3 giorni lavorativi per gli articoli in magazzino.
| Quantità | |
|---|---|
| 800+ | € 15,000 |
Prezzo per:Unità, fornito in bobina completa
Minimo: 800
Più: 800
€ 12 000,00 (IVA esc)
nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTBG040N120SC1
Codice Prodotto4130209
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETSingle
Tipo di canaleN Channel
Corrente Continua di Drain Id60A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.04ohm
Stile di Case del TransistorTO-263HV (D2PAK)
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza357W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Unlimited
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
Single
Corrente Continua di Drain Id
60A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.04ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Temperatura di esercizio max
175°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo di canale
N Channel
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
TO-263HV (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
357W
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001814
Tracciabilità del prodotto