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NSVMMBTH10LT1G
Transistore RF bipolare, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNSVMMBTH10LT1G
Codice Prodotto2630338
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN
Massima tensione Collettore-Emettitore25V
Frequenza di transizione650MHz
Dissipazione di potenza300mW
Corrente di Collettore continua999A
Stile di Case del TransistorSOT-23
Numero di pin3Pin
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo60hFE
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
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Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN
Frequenza di transizione
650MHz
Corrente di Collettore continua
999A
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Massima tensione Collettore-Emettitore
25V
Dissipazione di potenza
300mW
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
60hFE
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00004