NDT451AN
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 7.2 A, 0.035 ohm, SOT-223, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,350 |
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| 5000+ | € 0,422 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
NDT451AN è un FET di potenza ad arricchimento a canale N che utilizza la tecnologia DMOS ad alta concentrazione di celle. Questa tecnologia ad altissima densità è stata progettata appositamente per ridurre al minimo la resistenza in conduzione (RdsON) e offrire prestazioni di commutazione superiori. È particolarmente adatto per le applicazioni a bassa tensione come la conversione DC-DC, dove si richiedono commutazione rapida, bassa perdita di potenza in-line e resistenza ai transitori.
- Design ad alta densità di celle per RDS molto bassi (ON)
- Capacità di gestione di corrente e potenza elevate in un package SMT ampiamente utilizzato
Avvertenze
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Specifiche tecniche
canale N
7.2A
SOT-223
10V
1.1W
150°C
-
Lead (27-Jun-2024)
30V
0.035ohm
montaggio superficiale (SMT)
1.6V
4Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto