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NDSH30120C-F155
Diodo Schottky al carburo di silicio, EliteSiC Series, singolo, 1.2 kV, 30 A, 132 nC, TO-247
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ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNDSH30120C-F155
Codice Prodotto4381466
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
313 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNDSH30120C-F155
Codice Prodotto4381466
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Configurazione Diodosingolo
Tensione inversa di picco ripetitiva1.2kV
Corrente diretta media30A
Carica Qc capacitiva totale132nC
Tipo di Case del DiodoTO-247
Numero di Pin2 Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio del diodoforo passante (THT)
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Tensione inversa di picco ripetitiva
1.2kV
Carica Qc capacitiva totale
132nC
Numero di Pin
2 Pin
Montaggio del diodo
foro passante (THT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Configurazione Diodo
singolo
Corrente diretta media
30A
Tipo di Case del Diodo
TO-247
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001