NDS7002A
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 280 mA, 2 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
The NDS7002A is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density and DMOS technology. It minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control and power MOSFET gate drivers.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High saturation current capability
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
Avvertenze
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Specifiche tecniche
canale N
280mA
SOT-23
10V
300mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
60V
2ohm
montaggio superficiale (SMT)
2.1V
3Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto