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MMBF170
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMMBF170
Codice Prodotto9845399
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id500mA
Resistenza Drain-Source in conduzione5ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.1V
Dissipazione di potenza300mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
MMBF170 è un transistor a effetto di campo (FET) ad arricchimento a canale N SMT in un package SOT-23. Questo dispositivo è caratterizzato da una tecnologia DMOS ad alta densità di celle progettata appositamente per ridurre al minimo la resistenza in conduzione e fornire prestazioni di commutazione superiori e alta resistenza all'energia di valanga. Questo dispositivo è adatto per le applicazioni a bassa tensione e bassa corrente come il controllo di piccoli servomotori, i gate driver dei MOSFET di potenza e altri tipi di commutazioni.
- Struttura delle celle ad alta densità per una bassa Rds(ON)
- Interruttore a piccolo segnale controllato in tensione
- Robusto e affidabile
- Capacità di corrente di saturazione elevata
- Tensione drain-source (Vds): 60V
- Tensione VGS (gate-sorgente): ±20V
- Corrente di pozzo (drain) continua (Id): 500mA
- Dissipazione di potenza (Pd): 300mW
- Bassa resistenza in conduzione (RdsON): 1.2ohm a Vgs 10V
- Temperatura di esercizio: da -55°C a 150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
500mA
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
300mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
5ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.1V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Alternative per MMBF170
3 prodotti trovati
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000037
Tracciabilità del prodotto