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MGSF1N03LT1G
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 2.1 A, 0.1 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreMGSF1N03LT1G
Codice Prodotto2442038
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id2.1A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.1ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.7V
Dissipazione di potenza730mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The MGSF1N03LT1G is a N-channel miniature surface-mount Power MOSFET with low RDS (ON) assure minimal power loss and conserve energy. The device is ideal for use in space sensitive power management circuitry. It is suitable for DC-to-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Miniature surface-mount package saves board space
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
2.1A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
730mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.1ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.7V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per MGSF1N03LT1G
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto