Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
HGTG30N60A4D è un IGBT da 600V a canale N con diodo iper rapido anti parallelo. La serie SMPS è un membro della famiglia IGBT di commutazione ad alta tensione con gate MOS. IGBT unisce le funzionalità migliori dei MOSFET e dei transistori bipolari. Questo dispositivo presenta l'impedenza di ingresso elevata di un MOSFET e la bassa perdita di conduzione on-state di un transistor bipolare. Offre perdite di conduzione e di commutazione più basse per la progettazione di sistemi affidabili e ad alta efficienza. Il processo di produzione ottimizzata risulta in un miglior controllo e ripetibilità della struttura della parte superiore, il che risulta in specifiche più rigide e migliori prestazioni EMI. Questo prodotto è destinato ad usi generali ed è adatto a molte applicazioni diverse.
- Tempo di caduta 60ns con TJ = 125°C
Specifiche tecniche
75A
463W
TO-247
150°C
-
Lead (23-Jan-2024)
2.6V
600V
3Pin
foro passante (THT)
-
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto