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FQP13N10
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 12.8 A, 0.18 ohm, TO-220AB, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFQP13N10
Codice Prodotto2453903
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id12.8A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.18ohm
Stile di Case del TransistorTO-220AB
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza65W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (17-Jan-2022)
Alternative per FQP13N10
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Panoramica del prodotto
FQP13N10 è un MOSFET di potenza ad arricchimento QFET® a canale N prodotto con la tecnologia di transistor DMOS e a striscia planare. Questa tecnologia MOSFET avanzata è stata pensata su misura per ridurre la resistenza in conduzione (RdsON) e fornire prestazioni di commutazione superiori e alta resistenza all'energia di valanga. Questo prodotto è destinato ad usi generali ed è adatto a molte applicazioni diverse.
- Bassa carica di gate
- 100% testato per valanga
- Migliore affidabilità dei sistemi nelle topologie PFC e soft switching
- Perdite di commutazione migliorate
- Perdite di conduzione ridotte
- Temperatura di giunzione massima: 175°C
Note
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
12.8A
Stile di Case del Transistor
TO-220AB
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
65W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (17-Jan-2022)
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.18ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (17-Jan-2022)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0018
Tracciabilità del prodotto