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FQD8P10TM-F085
MOSFET di potenza, canale P, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFQD8P10TM-F085
Codice Prodotto4319866
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id6.6A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.53ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza44W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
6.6A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
44W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.53ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0004
Tracciabilità del prodotto