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FQD3P50TM-AM002BLT
MOSFET di potenza, canale P, 500 V, 2.1 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFQD3P50TM-AM002BLT
Codice Prodotto3368805RL
Gamma ProdottiQFET
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds500V
Corrente Continua di Drain Id2.1A
Resistenza Drain-Source in conduzione3.9ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza50W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiQFET
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
2.1A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
50W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
500V
Resistenza Drain-Source in conduzione
3.9ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
QFET
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0004
Tracciabilità del prodotto