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FGHL50T65MQDT
IGBT, 80 A, 1.45 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFGHL50T65MQDT
Codice Prodotto3929765
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua80A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.45V
Dissipazione di potenza268W
Massima tensione Collettore-Emettitore650V
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
80A
Dissipazione di potenza
268W
Stile di Case del Transistor
TO-247
Temperatura di esercizio max
175°C
Gamma di prodotti
-
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.45V
Massima tensione Collettore-Emettitore
650V
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00542
Tracciabilità del prodotto