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FGH4L40T120LQD
IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFGH4L40T120LQD
Codice Prodotto3929762
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua80A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.55V
Dissipazione di potenza306W
Massima tensione Collettore-Emettitore1.2kV
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
80A
Dissipazione di potenza
306W
Stile di Case del Transistor
TO-247
Temperatura di esercizio max
175°C
Gamma di prodotti
-
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.55V
Massima tensione Collettore-Emettitore
1.2kV
Numero di pin
4Pin
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00542
Tracciabilità del prodotto