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FDV303N

Name: MOSFET di potenza, canale N, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
Brand: ONSEMI
SKU: 2336831
Availability: InStock

MOSFET di potenza, canale N, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)

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ProduttoreONSEMI

Cod. produttoreFDV303N

Codice Prodotto2336831

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Informazioni sui prodotti

ProduttoreONSEMI

Cod. produttoreFDV303N

Codice Prodotto2336831

Datasheet tecnico

Data Sheet

Tipo di canalecanale N

Tensione Drain Source Vds25V

Corrente Continua di Drain Id680mA

Resistenza Drain-Source in conduzione0.45ohm

Stile di Case del TransistorSOT-23

Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)

Tensione di test di Rds(on)4.5V

Tensione di soglia Gate-Source massima800mV

Dissipazione di potenza350mW

Numero di pin3Pin

Temperatura di esercizio max150°C

Gamma di prodotti-

Qualificazioni-

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)

Panoramica del prodotto

The FDV303N is an N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density, DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize on-state resistance at low gate drive conditions. This device is designed especially for application in battery circuits using either one lithium or three cadmium or NMH cells. It can be used as an inverter or for high-efficiency miniature discrete DC/DC conversion in compact portable electronic devices. This device has excellent on-state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5 volts. it is an alternative to TN0200T and TN0201T transistors.

Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
<gt/>6kV human body model gate-source zener for ESD ruggedness

Specifiche tecniche

Tipo di canale

canale N

Corrente Continua di Drain Id

680mA

Stile di Case del Transistor

SOT-23

Tensione di test di Rds(on)

4.5V

Dissipazione di potenza

350mW

Temperatura di esercizio max

150°C

Qualificazioni

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)

No SVHC (27-Jun-2024)

Tensione Drain Source Vds

25V

Resistenza Drain-Source in conduzione

0.45ohm

Montaggio Transistore

montaggio superficiale (SMT)

Tensione di soglia Gate-Source massima

800mV

Numero di pin

3Pin

Gamma di prodotti

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

MSL 1 - Non Limitata

Documenti tecnici (3)

EOL Notices EN

Technical Data Sheet EN

Product Change Notice EN

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo

Tariffa n.:85412100

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme alla direttiva RoHS:Sì

RoHS

Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì

RoHS

Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)

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Certificato di conformità del prodotto

Peso (kg):.099

Tracciabilità del prodotto