FDT439N

FDT439N è un transistore a effetto di campo ad arricchimento da 2.5V con canale N di 30V che sfrutta una tecnologia DMOS e ad alta densità di celle. Questa tecnologia ad altissima densità è stata progettata appositamente per ridurre al minimo la resistenza in conduzione (RdsON) e prestazioni di commutazione superiori. È perfetto per le applicazioni a bassa tensione e bassa corrente. Il MOSFET UniFET™ fa parte della famiglia di MOSFET ad alta tensione basata sulla tecnologia DMOS e a striscia planare avanzata. In aggiunta, il diodo anti ESD gate-source interno permette al MOSFET UniFET II per resistere allo stress della sovratensione HBM di 2kV. Questo prodotto è adatto per le applicazioni con convertitori di potenza switching come correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione delle TV con display a schermo piatto (FPD), ATX e ballast elettronici per lampade. Questo prodotto è destinato ad usi generali ed è adatto a molte applicazioni diverse.

• Perdite di commutazione migliorate
• Perdite di conduzione ridotte
• 100% testato per valanga
• Energia accumulata inferiore nelle caratteristiche dinamiche
• Prestazioni di carica di gate (Qg) inferiore
• Migliore affidabilità dei sistemi nelle topologie PFC e soft switching