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FDMS86202ET120
MOSFET di potenza, canale N, 120 V, 102 A, 7200 µohm, Power 56, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDMS86202ET120
Codice Prodotto3368748RL
Gamma ProdottiPowerTrench
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 28 settimana/e
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| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 3,330 |
| 500+ | € 3,280 |
| 1000+ | € 3,230 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDMS86202ET120
Codice Prodotto3368748RL
Gamma ProdottiPowerTrench
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds120V
Corrente Continua di Drain Id102A
Resistenza Drain-Source in conduzione7200µohm
Stile di Case del TransistorPower 56
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza187W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiPowerTrench
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
FDMS86202ET120 is a N-channel shielded gate PowerTrench® MOSFET. This N-channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s Advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Application includes DC-DC conversion.
- Shielded gate MOSFET Technology
- Advanced package and silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
- 100% UIL tested
- 120V drain to source voltage (TA = 25°C), 102A continuous drain current (TC = 25°C)
- 3.1V maximum gate source threshold voltage (VGS=VDS, ID=250μA), 187W power dissipation (TC=25°C)
- 3275pF typical input capacitance (VDS = 60V, VGS = 0V, f = 1MHz, TJ = 25°C)
- 460pF typical output capacitance (VDS = 60V, VGS = 0V, f = 1MHz, TJ = 25°C)
- 8.75ns typical rise time (VDD = 60V, ID = 13.5A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- 14.3nC gate to source charge typical (ID = 13.5A, VDD = 60V, TJ = 25°C)
- 8 pin power 56 package, operating temperature range from -55 to +175°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
102A
Stile di Case del Transistor
Power 56
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
187W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
120V
Resistenza Drain-Source in conduzione
7200µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
PowerTrench
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0004
Tracciabilità del prodotto