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FDMC007N08LCDC
MOSFET di potenza, canale N, 80 V, 64 A, 0.0068 ohm, QFN, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDMC007N08LCDC
Codice Prodotto2895665RL
Gamma ProdottiPowerTrench
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDMC007N08LCDC
Codice Prodotto2895665RL
Gamma ProdottiPowerTrench
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds80V
Corrente Continua di Drain Id64A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0068ohm
Stile di Case del TransistorQFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di potenza57W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiPowerTrench
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
FDMC007N08LCDC is a Power Trench® shielded gate N‐channel MOSFET. This is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode. Applications include primary DC−DC MOSFET, synchronous rectifier in DC−DC and AC−DC, motor drive, solar.
- 5.1mohm typ static drain to source on resistance (VGS = 10V, ID = 22A, TJ = 25°C)
- 1.5V typical gate to source threshold voltage (VGS = VDS, ID = 130µA, TJ = 25°C)
- 80V typical drain to source breakdown voltage (ID = 250µA, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- 5V drive capable, 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
- Lowers switching noise/EMI, 100% UIL tested
- 1µA maximum zero gate voltage drain current (VDS = 64V, VGS = 0V)
- 80S typical forward transconductance (VDS = 5V, ID = 22A)
- 0.5ohm typ gate resistance (TJ = 25°C), 11ns typ Turn-on delay time (VDD = 40V,ID = 22A,VGS = 10V)
- 24nC typical reverse recovery charge (IF = 11A, di/dt = 300A/µs)
- PQFN8 package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
64A
Stile di Case del Transistor
QFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
57W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
80V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0068ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
PowerTrench
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0001
Tracciabilità del prodotto