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FDA50N50
MOSFET di potenza, canale N, 500 V, 48 A, 0.089 ohm, TO-3PN, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDA50N50
Codice Prodotto2453843
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds500V
Corrente Continua di Drain Id48A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.089ohm
Stile di Case del TransistorTO-3PN
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza625W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Alternative per FDA50N50
2 prodotti trovati
Panoramica del prodotto
The FDA50N50 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- Improved dV/dt capability
- 105nC typical low gate charge
- 45pF typical low Crss
- 100% avalanche tested
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
48A
Stile di Case del Transistor
TO-3PN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
625W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
500V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.089ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.006401
Tracciabilità del prodotto