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BSS123

Name: ONSEMI BSS123
Brand: ONSEMI
SKU: 2251951
Availability: InStock

MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)

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ProduttoreONSEMI

Cod. produttoreBSS123

Codice Prodotto2251951

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Informazioni sui prodotti

ProduttoreONSEMI

Cod. produttoreBSS123

Codice Prodotto2251951

Datasheet tecnico

Data Sheet

Tipo di canalecanale N

Tensione Drain Source Vds100V

Corrente Continua di Drain Id170mA

Resistenza Drain-Source in conduzione6ohm

Stile di Case del TransistorSOT-23

Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)

Tensione di test di Rds(on)10V

Tensione di soglia Gate-Source massima1.7V

Dissipazione di potenza360mW

Numero di pin3Pin

Temperatura di esercizio max150°C

Gamma di prodotti-

Qualificazioni-

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)

Panoramica del prodotto

The BSS123 is a 100V N-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density, DMOS technology. This device has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications. This product is general usage and suitable for many different applications.

High density cell design for extremely low RDS (ON)
Rugged and reliable
±20V continuous gate source voltage (VGSS)
350°C/W thermal resistance, junction to ambient

Avvertenze

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Specifiche tecniche

Tipo di canale

canale N

Corrente Continua di Drain Id

170mA

Stile di Case del Transistor

SOT-23

Tensione di test di Rds(on)

10V

Dissipazione di potenza

360mW

Temperatura di esercizio max

150°C

Qualificazioni

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)

No SVHC (27-Jun-2024)

Tensione Drain Source Vds

100V

Resistenza Drain-Source in conduzione

6ohm

Montaggio Transistore

montaggio superficiale (SMT)

Tensione di soglia Gate-Source massima

1.7V

Numero di pin

3Pin

Gamma di prodotti

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

MSL 1 - Non Limitata

Documenti tecnici (3)

EOL Notices EN

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

Alternative per BSS123

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Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo

Tariffa n.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme alla direttiva RoHS:Sì

RoHS

Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì

RoHS

Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)

Scarica il certificato di conformità del prodotto

Certificato di conformità del prodotto

Peso (kg):.004536

Tracciabilità del prodotto