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2SK4177-DL-1E
MOSFET di potenza, canale N, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-263 (D2PAK), montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttore2SK4177-DL-1E
Codice Prodotto2533169
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds1.5kV
Corrente Continua di Drain Id2A
Resistenza Drain-Source in conduzione10ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima-
Dissipazione di potenza80W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
2A
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
80W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
1.5kV
Resistenza Drain-Source in conduzione
10ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
-
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (3)
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto