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SMMBFJ310LT1G
Transistore RF FET, 25 V, 225 mW, SOT-23
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreSMMBFJ310LT1G
Codice Prodotto2845411
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds25V
Corrente Continua di Drain Id-
Dissipazione di potenza225mW
Frequenza Operativa Min-
Frequenza Operativa Max-
Stile di Case del TransistorSOT-23
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Tipo di canalecanale N
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
25V
Dissipazione di potenza
225mW
Frequenza Operativa Max
-
Numero di pin
3Pin
Tipo di canale
canale N
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corrente Continua di Drain Id
-
Frequenza Operativa Min
-
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Temperatura di esercizio max
150°C
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000002
Tracciabilità del prodotto