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SMMBFJ309LT1G
Transistore JFET, 25 V, 30 mA, 4 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
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| Quantità | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,105 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreSMMBFJ309LT1G
Codice Prodotto3615840
Datasheet tecnico
Massima tensione di rottura Gate-Source25V
Massima corrente di drain a tensione di gate zero30mA
Massima tensione di cutoff Gate-Source4V
Stile di Case del TransistorSOT-23
Numero di Pin3 Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Tipo di canalecanale N
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Panoramica del prodotto
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Specifiche tecniche
Massima tensione di rottura Gate-Source
25V
Massima tensione di cutoff Gate-Source
4V
Numero di Pin
3 Pin
Tipo di canale
canale N
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Massima corrente di drain a tensione di gate zero
30mA
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Temperatura di esercizio max
150°C
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.1
Tracciabilità del prodotto