RFD14N05LSM
MOSFET di potenza, canale N, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 0,870 |
| 10+ | € 0,621 |
| 100+ | € 0,385 |
| 500+ | € 0,379 |
| 1000+ | € 0,373 |
| 5000+ | € 0,366 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
RFD14N05LSM è un MOSFET di potenza a livello logico a canale N prodotto sulla base del processo MegaFET. Questo processo, che sfrutta dimensioni prossime a quelle dei circuiti integrati LSI, permette un utilizzo ottimale del silicio e risulta in prestazioni eccezionali. È pensato per l'uso in applicazioni come regolatori switching, convertitori switching e driver di relè. Queste prestazioni sono ottenute attraverso uno speciale strato dielettrico (ossido di gate) che fornisce la massima conduttanza nominale con bias di gate nel range di 3-5V, facilitando così il controllo diretto della potenza di on-off dai livelli logici dei circuiti integrati (5V).
- Modello PSPICE® di compensazione di temperatura
- Abilità di pilotaggio diretto dai circuiti CMOS, NMOS e TTL
- Curva di corrente di picco vs ampiezza di impulso
- Curva di rating di UIS (Unclamped Inductive Switching)
Specifiche tecniche
canale N
14A
TO-252 (DPAK)
5V
48W
175°C
-
Lead (27-Jun-2024)
50V
0.1ohm
montaggio superficiale (SMT)
2V
3Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per RFD14N05LSM
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto