RFD14N05LSM

RFD14N05LSM è un MOSFET di potenza a livello logico a canale N prodotto sulla base del processo MegaFET. Questo processo, che sfrutta dimensioni prossime a quelle dei circuiti integrati LSI, permette un utilizzo ottimale del silicio e risulta in prestazioni eccezionali. È pensato per l'uso in applicazioni come regolatori switching, convertitori switching e driver di relè. Queste prestazioni sono ottenute attraverso uno speciale strato dielettrico (ossido di gate) che fornisce la massima conduttanza nominale con bias di gate nel range di 3-5V, facilitando così il controllo diretto della potenza di on-off dai livelli logici dei circuiti integrati (5V).

• Modello PSPICE® di compensazione di temperatura
• Abilità di pilotaggio diretto dai circuiti CMOS, NMOS e TTL
• Curva di corrente di picco vs ampiezza di impulso
• Curva di rating di UIS (Unclamped Inductive Switching)