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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreQSD123
Codice Prodotto2453252
Datasheet tecnico
Lunghezza d'Onda Tipica880nm
Angolo di Visualizzazione24°
Consumo di Potenza100mW
Numero di pin2Pin
Stile di Case del TransistorT-1 3/4 (5mm)
Gamma di prodotti-
Standard di Qualifica Automotive-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The QSD123 is a NPN Silicon Infrared Phototransistor is suitable for QED12X/QED22X/QED23X notched emitter. It has 24° narrow reception angle and a daylight filter. Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.
- High sensitivity
Specifiche tecniche
Lunghezza d'Onda Tipica
880nm
Consumo di Potenza
100mW
Stile di Case del Transistor
T-1 3/4 (5mm)
Standard di Qualifica Automotive
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Angolo di Visualizzazione
24°
Numero di pin
2Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000284
Tracciabilità del prodotto