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PZT751T1G
Transistore singolo bipolare (BJT), scopi generici, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttorePZT751T1G
Codice Prodotto2317591
Datasheet tecnico
Polarità TransistorPNP
Massima tensione Collettore-Emettitore60V
Corrente di Collettore continua2A
Dissipazione di potenza800mW
Stile di Case del TransistorSOT-223
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Numero di pin4Pin
Frequenza di transizione75MHz
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo40hFE
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 3 - 168 ore
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
PNP
Corrente di Collettore continua
2A
Stile di Case del Transistor
SOT-223
Numero di pin
4Pin
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
40hFE
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 3 - 168 ore
Massima tensione Collettore-Emettitore
60V
Dissipazione di potenza
800mW
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Frequenza di transizione
75MHz
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000251
Tracciabilità del prodotto