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NXV65HR82DZ2
Transistore MOSFET, canale N, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNXV65HR82DZ2
Codice Prodotto3677750
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Corrente Continua di Drain Id26A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.073ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.073ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di Potenza Pd126W
Dissipazione di potenza126W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
26A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.073ohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
126W
Temperatura di esercizio max
150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.073ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Dissipazione di potenza
126W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.5