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NXH040P120MNF1PTG
MOSFET al carburo di silicio, mezzo ponte, doppio canale N, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, modulo
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNXH040P120MNF1PTG
Codice Prodotto3973634
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETmezzo ponte
Tipo di canaledoppio canale N
Corrente Continua di Drain Id30A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.042ohm
Stile di Case del Transistormodulo
Numero di pin18Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.81V
Dissipazione di potenza74W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
mezzo ponte
Corrente Continua di Drain Id
30A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.042ohm
Numero di pin
18Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.81V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tipo di canale
doppio canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
modulo
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
74W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.09
Tracciabilità del prodotto