Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
2 416 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
100+ | € 0,590 |
500+ | € 0,446 |
1000+ | € 0,361 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
€ 64,00 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVTFS6H854NTAG
Codice Prodotto2981245RL
Datasheet tecnico
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds80V
Corrente Continua di Drain Id44A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0119ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0119ohm
Stile di Case del TransistorWDFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di Potenza Pd68W
Dissipazione di potenza68W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Standard di Qualifica AutomotiveAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
80V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0119ohm
Stile di Case del Transistor
WDFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
68W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
44A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0119ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Dissipazione di potenza
68W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001361
Tracciabilità del prodotto