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NVTFS5116PLTAG
MOSFET di potenza, canale P, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVTFS5116PLTAG
Codice Prodotto2533214
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id6A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.052ohm
Stile di Case del TransistorWDFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza3.2W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NVTFS5116PLTAG is a single P-channel, power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source breakdown voltage is -60V minimum at (VGS = 0 V, ID = 250µA)
- Gate-to- source leakage current is ±100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Drain-to-source on resistance is 37mohm typical at (VGS = -10V, ID = -7A)
- Input capacitance is 1258pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = -25V)
- Total gate charge is 25nC typical at (VGS = -10V, VDS = -48V, ID = -7A)
- Turn-on delay time is 14ns typical at (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -7A)
- Rise time is 68ns typical at (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -7A)
- Operating junction temperature range from -55°C to +175°C
- WDFN8 package
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
6A
Stile di Case del Transistor
WDFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
3.2W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.052ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per NVTFS5116PLTAG
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000072
Tracciabilità del prodotto