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NVH4L160N120SC1
MOSFET al carburo di silicio, EliteSiC, configurazione singola, canale N, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm
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ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVH4L160N120SC1
Codice Prodotto3464025
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVH4L160N120SC1
Codice Prodotto3464025
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id17.3A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.16ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin4Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.1V
Dissipazione di potenza111W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
17.3A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.16ohm
Numero di pin
4Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.1V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
111W
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto