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ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVBG020N120SC1
Codice Prodotto3265484RL
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVBG020N120SC1
Codice Prodotto3265484RL
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id98A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.02ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.02ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.7V
Dissipazione di Potenza Pd468W
Dissipazione di potenza468W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NVBG020N120SC1 è un MOSFET al carburo di silicio (SiC). Le applicazioni tipiche sono i caricatori automotive a bordo e i convertitori DC-DC automotive per EV/HEV.
- Qualificato AEC-Q101 e capace di PPAP
- Test di valanga al 100%
- Bassa capacità effettiva in uscita (tip. Coss= 258pF)
- Tensione drain-source: 1200V a TJ = 25°C
- Corrente di drain continua: 98A a TC = 25°C
- Dissipazione di potenza: 3,7W a TC = 25°C
- Capacità di sovracorrente di drain singolo impulso: 807A a TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4,7ohm
- Temperatura di esercizio di giunzione e a scaffale: da -55 a +175°C
- Package D2PAK-7L
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.02ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.7V
Dissipazione di potenza
468W
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
98A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.02ohm
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di Potenza Pd
468W
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000024
Tracciabilità del prodotto