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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTR4171PT1G
Codice Prodotto2464120
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id3.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.075ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.15V
Dissipazione di potenza1.25W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NTR4171PT1G è un MOSFET di potenza a canale P che offre una tensione di drain source di -30V e una corrente di drain continua -2,2A. È adatto per la commutazione dei carichi ed è ottimizzato per le applicazioni di gestione dei carichi e delle batterie nelle apparecchiature portatili come telefoni cellulari, PDA e lettori multimediali.
- Bassa RDS (ON) con bassa tensione di gate
- Bassa tensione di soglia
- Capacità di tenuta di corrente e potenza elevate
- Intervallo di temperatura di giunzione di esercizio: da -55 a 150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
3.5A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
1.25W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.075ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.15V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Alternative per NTR4171PT1G
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000033
Tracciabilità del prodotto